在石墨烯的量子霍爾邊緣中探測(cè)功和散熱

2019-10-23 14:27:12 編輯：來(lái)源：

導(dǎo)讀將我們的尖端納米SQUID與石墨烯的量子霍爾相中的掃描門(mén)測(cè)量相結(jié)合，我們能夠分別測(cè)量和識(shí)別功和散熱過(guò)程。測(cè)量結(jié)果表明，由于邊緣重建，耗

將我們的尖端納米SQUID與石墨烯的量子霍爾相中的掃描門(mén)測(cè)量相結(jié)合，我們能夠分別測(cè)量和識(shí)別功和散熱過(guò)程。測(cè)量結(jié)果表明，由于邊緣重建，耗散受到在石墨烯邊界處出現(xiàn)的反向傳播的下游通道對(duì)和上游通道對(duì)之間串?dāng)_的控制。

但是，代替局部焦耳加熱，耗散機(jī)制包括兩個(gè)截然不同且在空間上分開(kāi)的過(guò)程。我們直接成像的工作產(chǎn)生過(guò)程涉及量子通道之間的電荷載流子的彈性隧穿，它決定了傳輸性質(zhì)，但不會(huì)產(chǎn)生局部熱量。

相反，獨(dú)立可視化的熱量和熵產(chǎn)生過(guò)程是在石墨烯邊緣的單個(gè)原子缺陷發(fā)生非彈性共振散射后非局部發(fā)生的(另請(qǐng)參見(jiàn)我們以前的工作)，而不會(huì)影響傳輸。我們的發(fā)現(xiàn)為隱藏真正拓?fù)浔Ｗo(hù)的機(jī)制提供了至關(guān)重要的見(jiàn)解，并為工程設(shè)計(jì)更健壯的量子態(tài)提供了場(chǎng)所，為設(shè)備應(yīng)用提供了建議。以下是在4.2 K下在不同石墨烯器件上測(cè)量的掃描序列。

沿與視頻1相同的樣本的頂部邊??界在放大區(qū)域中的四探針電阻Rxx(r)的掃描門(mén)圖像序列。Rxx(r)= Vxx(r)/ Idc記錄為對(duì)于各種背柵電壓Vbg，尖端位置r的函數(shù)。與視頻1相比，這里注入的總功率更小。水平虛線表示樣本的頂部邊??緣。

標(biāo)簽：石墨烯的量子霍爾邊緣